| 申请人 | 申请人代码 | 申请号 | 公开号 | 名称 | 权利人 | 专利权状态 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 厦门大学; | 厦门大学; | CN202410376680.0 | CN118251119A | 基于离子浓差的纳流忆阻器和人工离子突触器件及应用 | 厦门大学; | 在审 | 查看详情 |
| 之江实验室;浙江大学; | 之江实验室;浙江大学; | CN202410660241.2 | CN118245291B | 一种面向多类脑芯片级联系统的硬件容错方法与装置 | 之江实验室;浙江大学; | 有权 | 查看详情 |
| 之江实验室;浙江大学; | 之江实验室;浙江大学; | CN202410660241.2 | CN118245291A | 一种面向多类脑芯片级联系统的硬件容错方法与装置 | 之江实验室;浙江大学; | 有权 | 查看详情 |
| 苏州新云医疗设备有限公司;北京新云医疗科技有限公司; | 苏州新云医疗设备有限公司;北京新云医疗科技有限公司; | CN202410667091.8 | CN118236625B | 植入式神经刺激器的电极引线及植入式神经刺激器系统 | 苏州新云医疗设备有限公司;北京新云医疗科技有限公司; | 有权 | 查看详情 |
| 苏州新云医疗设备有限公司;北京新云医疗科技有限公司; | 苏州新云医疗设备有限公司;北京新云医疗科技有限公司; | CN202410667091.8 | CN118236625A | 植入式神经刺激器的电极引线及植入式神经刺激器系统 | 苏州新云医疗设备有限公司;北京新云医疗科技有限公司; | 有权 | 查看详情 |
| 华中科技大学; | 华中科技大学; | CN202410455015.0 | CN118236624A | 一种基于超声驱动的无源植入式双相脑刺激器件 | 华中科技大学; | 在审 | 查看详情 |
| 里尔大学;国家科学研究中心;里尔中央理工学校;法国豪斯理工大学; | 里尔大学;国家科学研究中心;里尔中央理工学校;法国豪斯理工大学; | CN202280059296.7 | CN118235331A | 信号检测器 | 里尔大学;国家科学研究中心;里尔中央理工学校;法国豪斯理工大学; | 在审 | 查看详情 |
| 广东工业大学; | 广东工业大学; | CN202410350431.4 | CN118234369A | 一种基于层状多元金属氧化物的人造突触及其制备方法 | 广东工业大学; | 在审 | 查看详情 |
| 哈尔滨工业大学; | 哈尔滨工业大学; | CN202410386495.X | CN118231510A | 一种自驱动宽带光突触器件及其制备方法 | 哈尔滨工业大学; | 在审 | 查看详情 |
| 南京大学; | 南京大学; | CN202410301783.0 | CN118228787A | 一种线性的神经元电路及其脉冲输出方法 | 南京大学; | 在审 | 查看详情 |
